200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB31N20D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRFB31N20D is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, high-speed switching, and robust thermal performance, making it suitable for various power electronics applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed for efficient power conversion  
- Improved dv/dt capability for reliable operation  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- TO-220 package for easy mounting and heat dissipation  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and other high-power switching applications.