200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB31N20D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.065Ω (at V_GS = 10V, I_D = 15.5A)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.085Ω (at V_GS = 4.5V, I_D = 10A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 560pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFB31N20D is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance, fast switching speeds, and high current capability, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high switching performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in high-energy environments.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Provides reliable performance in switching applications.  
- **TO-220AB Package:** Standard through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet.