75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3077PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFB3077PBF  

### **Description:**  
The IRFB3077PBF is a high-performance N-channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-state resistance (RDS(on)), high current capability, and fast switching speeds.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 780A  
- **Power Dissipation (PD):** 520W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.7mΩ (max at VGS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 210nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 10400pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 3800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 230pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable for high-power applications  
- Suitable for synchronous rectification in power supplies, motor control, and DC-DC converters  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.