75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package Here is the factual information about the part **IRFB3077GPBF** from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET (N-Channel)  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 210A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 840A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 520W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.4mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 210nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 10400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 3000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 800pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Mounting Type:** Through Hole  
- **Number of Pins:** 3  
- **Lead-Free Status:** Lead-Free  
- **RoHS Compliance:** Yes  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for high efficiency  
- **Fast Switching Speed** for improved performance  
- **High Current Handling Capability**  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Optimized for High Power Applications**  
- **Low Gate Drive Power Loss**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.