**Part Number:** IRFB23N20D  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 480pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

**Descriptions:**  
The IRFB23N20D is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

**Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching capability  
- High current handling  
- Low thermal resistance  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

(Data sourced from International Rectifier's official documentation.)