150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB23N15DPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (IR)  
- **Part Number:** IRFB23N15DPBF  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFB23N15DPBF is a high-performance N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Handling Capability** (23A continuous, 92A pulsed).  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability** for better noise immunity.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant.**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.