150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB23N15D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 50ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**
The IRFB23N15D is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-current applications.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Provides low on-resistance and high switching performance.  
- **Dynamic dv/dt Rating:** Ensures robust performance in high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized Gate Charge:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.