500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB17N50L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRFB17N50L is a high-voltage, N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for applications such as switch-mode power supplies (SMPS), motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves reliability in rugged environments.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.