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IRFB16N50K from IR,International Rectifier

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IRFB16N50K

Manufacturer: IR

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFB16N50K IR 50 In Stock

Description and Introduction

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB16N50K is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRFB16N50K  

### **Description:**  
The IRFB16N50K is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDSS):** 500V  
- **Current Rating (ID):** 16A (continuous)  
- **RDS(on) (Max):** 0.28Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate Charge (Qg):** 50nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Drive Requirements**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220AB Package**  

### **Applications:**  
- Switch-mode power supplies (SMPS)  
- Motor control  
- Inverters  
- Electronic ballasts  
- High-efficiency power conversion  

This information is sourced from the official IR datasheet for the IRFB16N50K.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFB16N50K VISHAY 12000 In Stock

Description and Introduction

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB16N50K is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFB16N50K  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Power Dissipation (PD):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.32Ω (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 48nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2000pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFB16N50K is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for use in power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Low Gate Charge**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

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