IRFB16N50K

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB16N50K is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFB16N50K  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.32Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 48nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFB16N50K is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for use in power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Low Gate Charge**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package