500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package **Manufacturer:** Infineon Technologies (formerly International Rectifier)  

**Part Number:** IRFB11N50APBF  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.40Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage MOSFET:** Designed for high-voltage switching applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed performance.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for IRFB11N50APBF.