500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB11N50A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFB11N50A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is built using IR's advanced HEXFET® technology, providing low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 500V applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole mounting.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and inverters.