-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9Z34N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -76A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF9Z34N is a high-performance P-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology  
- Low gate charge  
- High current capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  

### **Package:**  
- TO-220AB (Through-Hole)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.