Power MOSFET(Vdss=-60V/ Rds(on)=0.14ohm/ Id=-18A) The IRF9Z34L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -76A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.05Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF9Z34L is a high-performance P-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power management circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current-handling capability  
- Robust and reliable design  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power supplies  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For exact performance characteristics, refer to the official IR datasheet.