-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF9Z24NSTRLPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 76A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns  
- **Rise Time (tr):** 30ns  
- **Fall Time (tf):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
### **Package:**  
- **Package Type:** TO-263 (D2PAK)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Number of Pins:** 3  
### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
### **Applications:**  
- Power supplies  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Battery management systems  
- Switching regulators  
This information is based on Infineon's official datasheet for the IRF9Z24NSTRLPBF MOSFET.