(IRF9Z22) HEXFET Transistors The IRF9Z20 is a power MOSFET manufactured by SAMSUNG. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF9Z20 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 200V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal performance and ease of mounting.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

(IRF9Z22) HEXFET Transistors

(IRF9Z22) HEXFET Transistors The IRF9Z20 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF9Z20 is a P-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -50A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (at V_GS = -10V, I_D = -12.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for low on-resistance  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- TO-220AB (Through-Hole)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

(IRF9Z22) HEXFET Transistors