30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF9956TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Provides efficient power handling.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under transient conditions.  
- **Fully Characterized Dynamic dv/dt Rating:** Enhances reliability in high-speed circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Package:** DPAK (TO-252) surface-mount package.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF9956TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF9956TR  

### **Description:**  
The IRF9956TR is a P-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating:** -30V (Drain-to-Source, V_DS)  
- **Current Rating:** -11A (Continuous Drain Current, I_D at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at 25°C)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **100% Rg and UIS Tested**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** – Surface-mount package for efficient thermal performance.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Power Management  
- Motor Control  
- Battery Protection Circuits  
- Load Switching  

This information is based on Infineon's datasheet and product documentation. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official datasheet.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package