-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF9953TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved performance in high-frequency circuits.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF9953TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF9953TR  

### **Description:**  
The IRF9953TR is a P-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for high efficiency and low power dissipation.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -44A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.13Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  

### **Features:**  
- Advanced trench technology for low R_DS(on)  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications  

### **Package:**  
TO-252 (DPAK)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.