IRF9953

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF9953 is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 36W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω @ V_GS = -10V, I_D = -12A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC @ V_DS = -10V, V_GS = -4.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology:** Provides low on-resistance and high efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under inductive loads.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and improves efficiency.  
- **Fully Characterized:** Guaranteed specifications for reliable performance.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

The IRF9953 is packaged in a TO-220AB for easy mounting and heat dissipation.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package