30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF9952TRPBF is a P-Channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.16Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 11ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 36ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF9952TRPBF is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for low conduction losses  
- Low gate charge for fast switching  
- High current handling capability  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **Type:** TO-252 (DPAK)  
- **Termination:** Surface Mount (SMD)  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF9952TRPBF.