30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package The IRF9952QTRPBF is a P-Channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 650pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 45pF  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF9952QTRPBF is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance.  
- The device is optimized for applications requiring high power density and reliability.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low conduction losses.  
- **Low Gate Charge** for improved switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **Surface-Mount (D2PAK/TO-263) Package** for easy PCB integration.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.