20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF9910 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Descriptions:**  
- The IRF9910 is a **P-Channel HEXFET Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for **low voltage, high-speed switching** applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -8.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -34A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 520pF (typical)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low conduction losses.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for improved efficiency.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive loads.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF9910 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in operation.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-220AB Package:** Standard through-hole mounting package.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other power management circuits.  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRF9910 MOSFET.