IRF9910

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF9910 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in operation.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-220AB Package:** Standard through-hole mounting package.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other power management circuits.  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRF9910 MOSFET.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package