-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF9630S is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typ)  

### **Description:**  
- The IRF9630S is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics.  
- The device is suitable for use in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low Gate Charge** for improved switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt** to ensure robustness.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.