-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9630PBF is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF9630PBF is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to -200V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer’s datasheet and specifications.

-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package