6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs The IRF9630 is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -200V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 520pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 47ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF9630 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high-efficiency circuits.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** -200V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

For detailed application guidelines, refer to the official IR datasheet.