HEXFET Power MOSFET The IRF9620PBF is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (at V_GS = -10V, I_D = -2.1A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRF9620PBF is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for low gate charge and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** Supports up to -200V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.