3.5A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET The IRF9620 is a P-channel power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 270pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package)  

### **Description:**  
The IRF9620 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** -200V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious turn-on effects.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF9620.