-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF9610S is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **IR Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -200V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -2.1A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF9610S is a P-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low gate charge and fast switching performance.  
- Suitable for power management, DC-DC converters, motor control, and other high-voltage applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Low on-resistance and high switching speed.  
- **Dynamic dv/dt Rating:** High performance under fast switching conditions.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improved ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF9610S. For detailed specifications, refer to the official documentation.