HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-200V , RDS(on)=3.0Ω , ID=-1.8A ) The IRF9610PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRF9610PBF  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω @ V_GS = -10V, I_D = -2.1A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 250pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRF9610PBF is a high-voltage P-Channel MOSFET designed for power switching applications. It is suitable for use in power supplies, motor control, and other high-voltage circuits requiring efficient switching performance.  

### **Features:**  
- High voltage capability (-200V)  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.