-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9610 is a P-channel power MOSFET manufactured by **Harris Semiconductor** (now part of **Infineon Technologies**). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -200V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (at V_GS = -10V, I_D = -2.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF9610 is a **P-channel MOSFET** designed for **high-voltage, high-speed switching** applications.  
- It is commonly used in **power supplies, motor control, inverters, and DC-DC converters**.  
- The device is housed in a **TO-220 package**, providing efficient thermal performance.  

### **Features:**  
- **High voltage capability** (-200V)  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **Improved dv/dt capability** for noise immunity  

This information is based on the original datasheet from **Harris Semiconductor**. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9610 is a P-channel Power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω @ V_GS = -10V, I_D = -2.1A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 240pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRF9610 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **High Input Impedance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9610 is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω @ V_GS = -10V, I_D = -2.1A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF9610 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** -200V drain-source voltage rating  
- **Low On-Resistance:** Optimized for minimal conduction losses  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under transient conditions  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole package for easy mounting  

These details are based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.