IRF9610

-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9610 is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω @ V_GS = -10V, I_D = -2.1A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF9610 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** -200V drain-source voltage rating  
- **Low On-Resistance:** Optimized for minimal conduction losses  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under transient conditions  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole package for easy mounting  

These details are based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package