-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9610 is a P-channel Power MOSFET manufactured by Harris Semiconductor (now part of Littelfuse). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF9610 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is built using advanced HEXFET® technology, offering low on-resistance and high switching speed.  
- The device is suitable for applications requiring high efficiency and reliability.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to -200V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances ruggedness in switching circuits.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides robustness under transient conditions.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole package for easy mounting.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.