HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) = 117mΩ , ID = -23A ) The IRF9540NSPBF is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -76A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.20Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRF9540NSPBF is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for use in DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Provides low on-resistance and high efficiency.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.