-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9540N is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -76A  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.117Ω (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 62ns  
- **Rise Time (t_r):** 40ns  
- **Fall Time (t_f):** 70ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRF9540N is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds.  
- The device is suitable for high-efficiency power management in various circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high performance and reliability.  
- **Low Gate Charge** for improved switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure stable operation in switching circuits.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.