-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF9530NSTRR is a P-Channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 630pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF9530NSTRR is a high-voltage P-Channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low Gate Charge** for improved switching performance.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive loads.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **Surface-Mount Package (TO-263-3, D²PAK)** for easy PCB assembly.  

This MOSFET is commonly used in power supply circuits, battery management systems, and automotive applications.

-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF9530NSTRR is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **TO-263 (D2PAK)** surface-mount package  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.