Advanced Process Technology Surface Mount The IRF9530NSPBF is a P-channel power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 88W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 650pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 190pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  

### **Description:**  
The IRF9530NSPBF is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for low conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet.