-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF9530NS is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 520pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF9530NS is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high switching speed.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Provides reliable switching behavior.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Offers efficient thermal performance for high-power applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.