-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF9530NLPBF is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 450pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Package:**  
- **Type:** TO-262 (D²PAK)  
- **Mounting:** Through Hole  

### **Description:**  
The IRF9530NLPBF is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology** for low on-resistance  
- **High Current Handling Capability**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.