-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9530N is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features as per the manufacturer's data:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
1. **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
2. **Continuous Drain Current (I_D):** -12A (at 25°C)  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
4. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
5. **Power Dissipation (P_D):** 88W (at 25°C)  
6. **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = -10V  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
8. **Input Capacitance (C_iss):** 580pF  
9. **Output Capacitance (C_oss):** 150pF  
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  

### **Description:**  
- The IRF9530N is a **P-channel** MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is part of IR's **HEXFET®** power MOSFET series, known for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology** for low R_DS(on) and high current capability.  
- **Drain-Source Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive switching.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** ensuring reliable switching behavior.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.