12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs The IRF9530 is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω @ V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**  
- The IRF9530 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds.  
- Suitable for high-efficiency power management in various circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to -100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.