P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs　　 The IRF9522 is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -21A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF9522 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is housed in a TO-220AB package, providing efficient thermal performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to -100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's documentation.