IRF9521

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs The IRF9521 is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF9521 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to -100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220AB Package:** Ensures good thermal performance.  

For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official datasheet.

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs