-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF9520S is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.60Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- The IRF9520S is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is part of IR’s HEXFET® power MOSFET family, known for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management, DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low gate charge and high efficiency.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

The device is available in a TO-263 (D2PAK) surface-mount package.  

(Source: International Rectifier Datasheet)