HEXFET?Power MOSFET The IRF9520PBF is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.60Ω (max at V_GS = -10V, I_D = -4.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF9520PBF is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power management applications. It is housed in a TO-220AB package, providing efficient thermal performance and high power-handling capability.  

### **Features:**  
- Advanced process technology for low on-resistance  
- High switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

HEXFET?Power MOSFET The IRF9520PBF is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF9520PBF  

### **Description:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.60Ω (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Low on-resistance and high switching speed.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides robustness in inductive switching applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Ensures reliable switching behavior.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control circuits  
- Switching regulators  
- Battery-powered applications  

This information is sourced from the manufacturer’s datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Infineon documentation.