-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF9520NL is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -25A  
- **Power Dissipation (PD):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.6Ω (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 85pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
### **Description:**  
The IRF9520NL is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power management in various circuits.  
### **Features:**  
- **Advanced Process Technology** for low on-resistance.  
- **High Current Handling Capability** for power applications.  
- **Fast Switching Performance** for improved efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified** for enhanced reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
The device is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other switching applications.  
(Note: All specifications are based on standard datasheet values; always refer to the official datasheet for precise details.)