-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9520N is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files regarding its specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.60Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  

### **Description:**  
- The IRF9520N is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is housed in a TO-220AB package, providing good thermal performance.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low on-resistance and high efficiency.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure reliable operation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.