-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF9510STRR is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.60Ω (at V_GS = -10V, I_D = -3.2A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 75pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Descriptions:**  
- The IRF9510STRR is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is housed in a TO-252 (DPAK) package, which provides good thermal performance and is suitable for surface-mount applications.  
- It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for switching power supplies and motor control applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Provides low on-resistance and high switching performance.  
- **Dynamic dv/dt Rating:** Enhances reliability in high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.