-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF9510STRL is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.60Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 330pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 85pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF9510STRL is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for high performance  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

The device is packaged in a **TO-252 (DPAK)** surface-mount package for easy PCB assembly.  

(Note: All specifications are based on the manufacturer's datasheet.)