3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET The IRF9510 is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at T_C = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.60Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF9510 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is housed in a TO-220 package, making it suitable for high-power applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to -100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage transients.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF9510.