30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF9410TR is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-to-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 44nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
The IRF9410TR is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power management circuits.  

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High ruggedness and reliability  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package