HEXFET? Power MOSFET The IRF9410PBF is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -16A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Polarity:** P-Channel  
- **Applications:** Power switching, DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency power management systems.  

### **Features:**  
- **High Power Handling:** Capable of handling high current and voltage levels.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for rugged applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF9410PBF.