30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF9410 is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.6A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at T_C = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 75pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 40ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF9410 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to -100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.